新产品中集成了新一代功率器件650V GaN HEMT、能够更大程度地激发出GaN HEMT性能的专用栅极驱动器、新增功能以及外围元器件。另外，新产品支持更宽的驱动电压范围（～30V），拥有支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（Super Junction MOSFET*3／以下简称“Si MOSFET”）。与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。

(资料图片)

新产品已于2023年6月开始量产（样品价格4,000日元/个，不含税）。另外，新产品及对应的三款评估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）已开始网售，在Ameya360等电商平台可购买。

＜产品阵容＞

新产品支持更宽的驱动电压范围（～30V），而且传输延迟短、启动时间快，因此支持一次侧电源中的各种控制器IC。

＜应用示例＞

适用于内置一次侧电源（AC-DC或PFC电路）的各种应用。

消费电子：白色家电、AC适配器、电脑、电视、冰箱、空调

工业设备：服务器、OA设备

＜电商销售信息＞

电商平台：Ameya360

产品和评估板在其他电商平台也将逐步发售。

（开始销售时间：2023年7月起）

产品信息

产品型号：

BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB

・评估板信息

评估板型号：BM3G007MUV-EVK-002（PFC 240W）

BM3G007MUV-EVK-003

BM3G015MUV-EVK-003

＜什么是EcoGaN™＞

EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的性能，助力应用产品进一步节能和小型化的ROHM GaN器件，该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计工时和元器件数量等。

・EcoGaN™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。

＜术语解说＞

*1)一次侧电源

在工业设备和消费电子等设备中，会通过变压器等对电源和输出单元进行隔离，以确保应用产品的安全性。在隔离部位的两侧，电源侧称为“一次侧（初级）”，输出侧称为“二次侧（次级）”，一次侧的电源部位称为“一次侧电源”。

*2) GaN HEMT

GaN（氮化镓）是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料——Si（硅）相比，具有更优异的物理性能，目前，因其具有出色的高频特性，越来越多的应用开始采用这种材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高电子迁移率晶体管）的英文首字母缩写。

*3）Super Junction MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）

MOSFET是晶体管的一种，根据器件结构上的不同又可细分为DMOSFET、Planar MOSFET、Super Junction MOSFET等不同种类的产品。与DMOSFET和Planar MOSFET相比，Super Junction MOSFET在耐压和输出电流方面表现更出色，在处理大功率时损耗更小。